功能
半導體封裝尺寸越來越小，集成度越來越高，無損高精度定位故障的需求也越來越大。因此，有必要建立一個系統，可以根據不同的故障分析條件輕松地創建*佳分析環境。
TS9000系列TDR方案和TS9001 TDR系統的TDR分析通過利用我們專有的短脈沖信號處理技術進行高分辨率TDR測量（時域反射法），對**半導體封裝、電子元件和印刷電路板中的導線故障區域進行快速、高精度和無損分析。
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能夠對2.5D_IC和3D_IC進行故障分析
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?故障區域檢測的精度（分辨率）：<5μm
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?*大測量距離：300mm
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自動TDR測量
通過使用自動探測器的自動觸地功能，系統進行**的可重復測量，有助于減少人為錯誤。
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可進行DUT溫度控制（TS9001 + 外部探針連接）
（示例）FormFactor Inc公司的SUMMIT200（高/低溫型： -60 °C 至 300 °C）
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可提供多種分析軟件
提供故障位置指示器，可顯示CAD數據上的故障區域。（可選）
使用太赫茲技術的TDR測量
使用示波器TDR進行故障分析時出現的問題 ? 故障點定位誤差大
用于分析的探針信號采用階梯響應波形圖。
從上等和有缺陷的產品中獲得的TDR波形圖振幅變化的起始點被視為故障點。但是，由于起始點不明確，在定位故障點時存在很大的誤差。
通過使用探針信號的脈沖波形圖，可以輕松（直觀地）在脈沖峰值處確定故障點。
高度集成的LSI封裝故障分析
1. 封裝接線故障分析
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確定布線故障點位于Si Interposer內還是封裝內
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識別故障是由預處理還是后處理中的因素引起的
2. Si Interposer安裝（C4 Bump）故障分析
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利用測試回路確定和分析安裝Si Interposer的條件
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對測試回路的菊花鏈結構進行故障點分析，并對安裝條件進行反饋。
3. 層壓內存安裝（TSV、Micro-Bump）故障分析
Small-BGA故障分析
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通過在電路板的通孔、布線和連接線中形成開路故障，進行TDR分析。
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即使在結構復雜的封裝中，也能檢測來自故障點的反射脈沖
主要分析案例
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用于TSV和其他微小通孔或凸點之間的故障分析
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用于對接觸點故障進行溫度依賴性分析
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用于分析高電阻故障，其表現為波形圖間的微小差異
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1
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板
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微帶線
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開路
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短路
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傳輸線
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開路
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短路
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2
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QFP
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連接線
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開路
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短路
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3
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Small-BGA
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連接線
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開路
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板內通孔
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開路
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板內接線
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開路
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4
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FCBGA
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凸點
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開路
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雛菊花環
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開路
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短路
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凸點
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高阻
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靠近凸點（長度：<1mm）
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開路
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