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面積比較 (Area)
面積比較可用來(lái)檢測(cè)鉛酸電池芯的正負(fù)極板之間是否絕緣**或隔離膜不存在。面積比較是將測(cè)試的波形總面積與樣品的波形總面積做差異比較,總面積的差異表現(xiàn)出了電池芯絕緣程度的好壞。當(dāng)電池芯正負(fù)極板之間的絕緣**或是隔離膜不存在時(shí),在足夠的電場(chǎng)強(qiáng)度/電壓下會(huì)造成放電,瞬間的能量釋放導(dǎo)致波形瞬間快速衰減, 所以測(cè)試的波形總面積會(huì)比樣品的波形總面積小。
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面積差比較 (Differential Area)
面積差比較可用來(lái)檢測(cè)待測(cè)物電容量的差異。面積差比較是測(cè)試的波形與樣品的波形不重迭的面積所占的比例,此比例的大小代表著待測(cè)物的電容量與樣品的電容量的差異,當(dāng)電容量越大 波形諧振的頻率會(huì)越低,電容量越小波形諧振的頻率越高。
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顫動(dòng)量偵測(cè) (Flutter)
顫動(dòng)量偵測(cè)可以用來(lái)做接觸檢查。顫動(dòng)量偵測(cè)是利用一階微分的計(jì)算方式計(jì)算出波形所產(chǎn)生的總量,由于當(dāng)沒(méi)有碰觸好或是沒(méi)有接到待測(cè)物做測(cè)試時(shí),電容量會(huì)比有接到待測(cè)物時(shí)還要小很多,所以波形諧振的頻率會(huì)非常高,導(dǎo)致波形的總量變大,因此可利用此特性來(lái)做接觸檢查的判斷。
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二次微分偵測(cè) (Laplacian)
二次微分偵測(cè)可以用來(lái)偵測(cè)較小的放電。二次微分偵測(cè)是利用二次微分的計(jì)算方式,找出在脈沖測(cè)試的過(guò)程中是否有因?yàn)榘l(fā)生較小的放電,所造成測(cè)試波形發(fā)生的快速變化或快速轉(zhuǎn)折。
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**電壓峰值 (V1)
諧振波形中的**個(gè)電壓峰值。當(dāng)電池芯正負(fù)極板之間的絕緣**或是隔離膜不存在時(shí),在足夠的電場(chǎng)強(qiáng)度/電壓下會(huì)造成放電,會(huì)導(dǎo)致**個(gè)電壓峰值比樣品的**個(gè)電壓峰值低。
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第三電壓峰值 (V3)
諧振波形中的第三個(gè)電壓峰值。當(dāng)電池芯正負(fù)極板之間的絕緣**或是隔離膜不存在時(shí),在足夠的電場(chǎng)強(qiáng)度/電壓下會(huì)造成放電,能量的釋放會(huì)導(dǎo)致第三個(gè)電壓峰值的電壓比良品低。當(dāng)電池芯的絕緣質(zhì)量較差時(shí),因?yàn)槟芰繐p失的較快也較多,也會(huì)導(dǎo)致第三個(gè)電壓峰值的電壓比良品低。
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波峰比 (Peak Ratio)
波峰比是用來(lái)檢測(cè)鉛酸電池芯正負(fù)極板之間的絕緣質(zhì)量。波峰比是波形的第五個(gè)電壓峰值與第三個(gè)電壓峰值的電壓比例,當(dāng)電池芯的等效并聯(lián)電阻(Rp)較小或絕緣的質(zhì)量較差時(shí),因?yàn)槟芰繐p耗的較多、較快,導(dǎo)致第五個(gè)電壓峰值變得更小,所以絕緣質(zhì)量較差的波峰比會(huì)比絕緣品質(zhì)較好的波峰比更小。波峰比的大小表現(xiàn)出電池芯正負(fù)極板之間絕緣質(zhì)量的狀態(tài)。
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波峰差比 (ΔPeak %)
波峰差比是用來(lái)檢測(cè)鉛酸電池芯正負(fù)極板之間的絕緣質(zhì)量是否接近樣品的絕緣質(zhì)量。波峰差比為測(cè)試波形的波峰比與樣品波形的波峰比的差異,利用比較的方式可以篩出絕緣質(zhì)量接近樣品絕緣質(zhì)量的產(chǎn)品。當(dāng)待測(cè)物的絕緣質(zhì)量與樣品的絕緣質(zhì)量一樣時(shí),因?yàn)闇y(cè)試波形的波峰比與樣品波形的波峰比相同,所以波峰差比為0。當(dāng)待測(cè)物的絕緣質(zhì)量低于樣品的絕緣質(zhì)量時(shí),因?yàn)闇y(cè)試波形的波峰比會(huì)比樣品波形的波峰比小,所以波峰差比為負(fù)數(shù),表示待測(cè)物的絕緣質(zhì)量比樣品差。
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